RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3138
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link