RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2466
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link