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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Compara
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
1774
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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