RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
60
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
60
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2600
2359
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link