RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
60
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2600
2359
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link