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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
60
读取速度,GB/s
14.4
15.3
写入速度,GB/s
9.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
2359
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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