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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
35
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2726
3394
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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