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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Confronto
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
16.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2726
3394
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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