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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
24
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
22
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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