RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
65
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
24
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link