RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link