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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
32
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
18
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
3668
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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