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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
60
En -131% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
4124
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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