RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
60
Autour de -131% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
26
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
4124
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link