RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
55
104
En -89% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
55
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2665
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link