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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3041
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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