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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
14.9
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3501
2159
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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