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Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
75
En -226% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
23
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3098
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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