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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
75
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
36
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2090
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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