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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
75
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
24
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2731
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gowe Technology Co. Ltd. GMT8G04UCL116P-PBC 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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