RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
75
Autour de -213% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
24
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2731
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link