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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
75
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
31
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2762
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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