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Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
75
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
26
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3756
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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