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Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Compara
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
4.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
43
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1196
1823
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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