RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
5.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
3495
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link