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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Compara
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Puntuación global
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
5.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.1
4.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
54
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
5.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.1
4.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1432
1277
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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