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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Compara
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2362
2613
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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