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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
47
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
35
Velocità di lettura, GB/s
11.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2362
2613
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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