PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 27
    Intorno -8% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.8 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 14.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 9.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 2340
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti