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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
比较
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.2
14.9
写入速度,GB/s
8.4
10.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2362
2613
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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