RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3703
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link