RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.8
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
16.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3703
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link