RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
3122
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link