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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
1832
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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