RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1832
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link