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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2422
3827
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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