RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Compara
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
AMD R748G2400S2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
135
En 66% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400S2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
135
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
1359
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link