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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2422
3052
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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