RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3546
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link