RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3546
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link