RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
101
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
101
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link