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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
101
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.7
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
101
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
1382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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