RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2288
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link