RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2288
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link