RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2288
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link