RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2288
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link