Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    65 left arrow 101
    Intorno 36% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 12.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.7 left arrow 1,592.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    65 left arrow 101
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,580.8 left arrow 12.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,592.0 left arrow 6.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    572 left arrow 1382
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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