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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
43
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2276
2034
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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