Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    42 left arrow 43
    Por volta de 2% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 43
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.6 left arrow 12.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.8 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2276 left arrow 2034
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações