RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2696
2856
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link